کمپانی TSMC اخیراً رویکرد تهاجمی و پرخاشگرانه‌ای را در خصوص طراحی و توسعه تراشه‌های سیلیکونی نظیر فناوری ساخت 3 نانومتر در پیش گرفته و با افزایش سرمایه‌گذاری خود در بخش تحقیقات و توسعه، اکنون رکوردی تازه را بر جای گذاشته و حتی میزان سرمایه‌گذاری خود در مقایسه با کمپانی اینتل را پیشی داده است. این موضوع نمایانگر تقاضای عظیم بازار برای فناوری‌های جدید بوده و کمپانی TSMC در حال تلاش برای پاسخ‌گویی و ربودن گوی سبقت در مسابقه بی پایان کارایی بیشتر و اندازه کمتر نودهای مورد استفاده در تراشه‌های کامپیوتری از رقبای خود می‌باشد.
رسانه DigiTimes در طی جدیدترین اخبار منتشره از جانب خود اظهار داشته است که کمپانی TSMC به تازگی 30 هکتار از زمین بخش جنوبی پارک علم (Science Park) تایوان را برای برای احداث کارخانه‌های مرتبط با طراحی و توسعه فناوری ساخت 3 نانومتر در سال 2023 خریداری کرده است. زمان شروع ساخت کارخانه‌های مربوطه در سال 2020 در نظر گرفته شده و پس از اتمام پروژه در سال 2023، فرآیند طراحی و تولید لیتوگرافی 3 نانومتر بلافاصله آغاز می‌گردد. انتظار می‌رود تا فناوری ساخت 3 نانومتر سومین تلاش کمپانی TSMC در حوزه لیتوگرافی مبتنی بر EUV محسوب شود (همانطور که می‌دانیم، جایگاه اولین و دومین تلاش در انحصار لیتوگرافی‌های 7 نانومتر پلاس و 5 نانومتر قرار دارد).
کاهش فناوری ساخت و اندازه ترانزیستورهای به کار رفته در طراحی و توسعه تراشه‌های رایانه‌ای مزیت‌های بسیاری را در تمامی جنبه‌های گوناگون به ارمغان می‌آورد که از جمله اصلی‌ترین آن‌ها می‌توان به افزایش کارایی و کاهش میزان انرژی مصرفی اشاره کرد. چگالی کمتر ترانزیستورها در امکان افزایش تعداد آن‌ها در طراحی زیر معماری‌های کامپیوتری تأثیرگذار بوده و لذا یک تراشه نسل جدید در مساحتی یکسان، بهبود کارایی را در مقایسه با پردازشگر نسل پیشین خود قادر است میسر سازد، به همین دلیل کمپانی‌های فعال در این حوزه همچون TSMC ،GlobalFoundaries ،Intel و … پیوسته به دنبال کاهش فناوری ساخت و لیتوگرافی محصولات خود می‌باشند.
منبع: TechPowerUP
