کمپانی SK Hynix در تاریخ دوازدهم آگوست سال 2019 میلادی خبر از اتمام مراحل طراحی و توسعه تراشه حافظه اصلی دینامیک جدید و منحصر به فرد خود تحت عنوان HBM2E با بالاترین میزان پهنای باند تاکنون ثبت شده در تاریخ حافظه‌های پویا را داده است. محصولات HBM2E جدید طراحی شده در مقایسه با نمونه‌های نسل فعلی خود (HBM2) از مزیت‌های چشمگیری نظیر 50 درصد پهنای باند بیشتر و 100 درصد ظرفیت ذخیره‌سازی اضافی برخوردار بوده و در نوع خود دستاوردی عظیم به شمار می‌روند. پهنای باند به ارمغان آورده شده توسط تراشه‌های مذکور بالغ بر 460 گیگابایت بر ثانیه می‌باشد که گستردگی آن از طریق قابلیت خوانش و نوشت 3.6 گیگابیت بر ثانیه اطلاعات از طریق هر پین و امکان دریافت تعداد 1024 داده ورودی و خروجی میسر شده است. استفاده از فناوری TSV سبب شده است تا امکان قرارگیری تعداد هشت چیپ 16 گیگابیت به‌صورت عمودی میسر شده و پشته‌هایی چگال و مبتنی بر 16 گیگابایت بر هر تراشه در اختیار توسعه‌دهندگان قرار گیرند.
تراشه‌های حافظه HBM2E کمپانی اس‌کی هاینیکس راهکاری منحصر به فرد جهت استفاده در دوره چهارم صنعتی محسوب شده و حوزه‌هایی گوناگونی نظیر تراشه‌های شتاب‌دهنده گرافیکی پیشرفته، ابر رایانه‌ها، یادگیری ماشینی و سیستم‌های هوش مصنوعی را تحت پوشش خود در آورده‌اند. برخلاف حافظه‌های DRAM معمول و هم‌اکنون در دسترس که باید در قالب یک ماژول سخت‌افزاری بر روی قطعه مادربرد نصب شوند، تراشه‌های HBM2E می‌توانند به‌صورت به هم پیوسته در نزدیکی پردازشگر نظیر تراشه شتاب‌دهنده گرافیکی با فاصله‌ای بسیار کمتر (در حدود چند میکرومتر) قرار گرفته و بهبود فراتری در سرعت انتقال اطلاعات را میسر سازند.
کمپانی اس‌کی هاینیکس پس از عرضه اولین تراشه‌های حافظه مبتنی بر فناوری HBM خود در سال 2013 موفق به کسب جایگاه بهترین تولیدکننده در بین دیگر رقبای خود شد. فرآیند تولید انبوه تراشه‌های فوق در سال 2020 و هنگامی‌که فاکتور عرضه و بر تقاضا در بازار بیشتر شود آغاز می‌گردد.
منبع: Guru3D
